一、為何選擇錫替代鉛？

傳統(tǒng)鉛基鈣鈦礦（如（fapbi?）的效率已突破30％，但其毒性問(wèn)題引發(fā)環(huán)境擔(dān)憂。錫與鉛同屬iv族元素，電子特性相似，且毒性更低。此外，錫鈣鈦礦的理論極限效率（，33％）（）甚至略高于鉛基材料。然而，錫的超快結(jié)晶特性導(dǎo)致薄膜易出現(xiàn)孔洞、晶粒不均等問(wèn)題

二、實(shí)驗(yàn)方法：氮?dú)饷}沖+添加劑「雙管齊下」

1. 關(guān)鍵策略

** ** - 調(diào)控」結(jié)晶法**：：

• 觸發(fā)：用氮?dú)饷}沖瞬間加速溶劑蒸發(fā)，誘導(dǎo)成核。，誘導(dǎo)成核。

• 調(diào)控：通過(guò)添加劑（如masncl?），改變?nèi)芤夯瘜W(xué)環(huán)境，延緩晶核生長(zhǎng)速度，形成致密大晶粒。，形成致密大晶粒。

2。實(shí)驗(yàn)步驟

太陽(yáng)能電池制造

PSC選擇了倒置結(jié)構(gòu)：玻璃/ito/pedot：PSS/Fasni 3/C 60/BCP/AG。

40°c 的超聲波熱浴中洗滌圖案化的含氧化錫（ 的超聲波熱浴中洗滌圖案化的含氧化錫（ 的超聲波熱浴中洗滌圖案化的含氧化錫（，然后使用以下步驟：15分鐘，液體洗滌劑溶于去離子水中（2 v/v（v/v）；用去離子水沖洗并超聲5 分鐘；用丙酮沖洗，然后超聲，然后超聲15分鐘；用乙醇沖洗，然后超聲處理15分鐘。，15分鐘。

對(duì)于狹縫涂布涂層，使用uv ossila），并在環(huán)境條件下沉積水。沉積保持不變。將薄膜在，120°c退火20分鐘。將底物移入雜物箱后，ossila（ossila），該階段保持在，40°C。移動(dòng)速度設(shè)置為5mm s -1 s -1 s -1 ；分配率設(shè)置為1μls-1μls-1μls-1。涂層后

對(duì)于所有鈣鈦礦沉積實(shí)驗(yàn)，用5 bar n 2氣體在雜物箱中的5bar n 2氣體中施加了氣吹氣。

使用熱真空（ <10 -6 bar）的熱蒸發(fā)室沉積eTl和銀電極。三層和銀電極。三層c 60，bcp和ag的厚度分別為75、7和150 nm。

對(duì)于大面積（（50×50毫米）設(shè)備的狹縫涂布涂層

Ossila紫外臭氧清洗機(jī)

Ossila狹縫涂布機(jī)

三、創(chuàng)新亮點(diǎn)：如何「馴服」錫的狂野結(jié)晶？

1。氮?dú)饷}沖：精準(zhǔn)觸發(fā)成核

（傳統(tǒng)鉛鈣鈦礦常用反溶劑（如甲苯）觸發(fā)結(jié)晶，但錫的反應(yīng)速度過(guò)快，反溶劑法難以控制。本研究改用氮?dú)?/span>脈沖

（ 1）（a），結(jié)晶理論的表示（前體濃度與時(shí)間），顯示了結(jié)晶的四個(gè)基本階段：穩(wěn)定，亞穩(wěn)態(tài)，成核爆發(fā)和生長(zhǎng)； b）通過(guò)三種不同的結(jié)晶模式形成的鈣鈦礦膜的谷物形態(tài)的圖形表示：快速溶劑蒸發(fā)：快速溶劑蒸發(fā)

2。添加劑調(diào)控：masncl?的魔法

團(tuán)隊(duì)測(cè)試了多種添加劑，Masncl?）（Masncl?）：：

• sn2?富集：補(bǔ)償錫空位缺陷，抑制sn2?氧化。

• cl?導(dǎo)向生長(zhǎng)：cl?在結(jié)晶時(shí)被排至晶界，優(yōu)化能級(jí)排列，提升電荷收集效率。，提升電荷收集效率。

• ma?緩釋效應(yīng)：ma?與溶劑形成中間相，延緩結(jié)晶速度，避免過(guò)快成核。，避免過(guò)快成核。

通過(guò)原位pl 光譜（圖2a（2a），可清晰看到，masncl?使結(jié)晶動(dòng)力學(xué)趨于平緩，pl 量子產(chǎn)率（ plqy（Plqy），器件效率達(dá)，5.38％。

圖2（a）用FASI-SNCL2，F(xiàn)ASI-MACL，F(xiàn)ASI-MASNCL3和FASI-SNF2印刷的插槽涂層膜上的原位測(cè)量（藍(lán)色為零的基線和紅色的輪廓圖）。為了更好地比較，將每個(gè)測(cè)量的強(qiáng)度標(biāo)準(zhǔn)化為在整個(gè)實(shí)驗(yàn)過(guò)程中檢測(cè)到的Z大PL強(qiáng)度。對(duì)于FASI-MACL，未觀察到信號(hào)演化。相應(yīng)的原位（b）PL峰強(qiáng)度和（c）峰位置隨時(shí)間的變化而變化；由于缺乏信號(hào)，將FASI-MACL排除在外。熱退火后的結(jié)果包括以下內(nèi)容：（d）穩(wěn)態(tài)PL光譜和（E）X射線衍射。

四、實(shí)驗(yàn)結(jié)果：從實(shí)驗(yàn)室到工業(yè)化的跨越

1。效率突破

• 小面積（（0.1cm2）：5.38％（目前錫鈣鈦礦涂布法Z高值）。

• 大面積（（5cm2）：2.31％（受限于測(cè)試接觸電阻，優(yōu)化后潛力更大）。）

2。室內(nèi)光伏潛力

在led 模擬室內(nèi)光（ 0.03太陽(yáng)）下，器件效率仍保持，5.4％，證明其在低光環(huán)境（如物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備供電）的應(yīng)用前景。

圖3比較FASNI3設(shè)備的性能，并用研究的四種添加劑，SNCL2，MACL，MASNCL3，SNF2進(jìn)行了比較。 （a）合資掃描； （b）每個(gè)樣品的光強(qiáng)度依賴(lài)性光致發(fā)光量子產(chǎn)率（完整設(shè)備堆棧）； （c）每個(gè)樣品的JV性能分布（用于正向的F和R的反向掃描）。

LED的圖4（a）頻譜用于測(cè)試室內(nèi)PV性能，以及（b）在不同的MOL％濃度MASNCL3的FASI下，相應(yīng)的PCE在不同的光強(qiáng)度下。

五、未來(lái)展望：無(wú)鉛鈣鈦礦的工業(yè)化之路

（通過(guò)狹縫涂布+氮?dú)庥|發(fā)可實(shí)現(xiàn)錫鈣鈦礦的量產(chǎn)化制備。下一步需優(yōu)化傳輸層匹配（如能級(jí)調(diào)整）（0.49 v），（coll到卷）生產(chǎn)線。隨著毒性問(wèn)題的解決，無(wú)鉛鈣鈦礦或?qū)⒊蔀橄乱淮嵝?、輕質(zhì)光伏組件的核心材料。，無(wú)鉛鈣鈦礦或?qū)⒊蔀橄乱淮嵝?、輕質(zhì)光伏組件的核心材料。，無(wú)鉛鈣鈦礦或?qū)⒊蔀橄乱淮嵝?、輕質(zhì)光伏組件的核心材料。

參考文獻(xiàn)：
li，X。等。可持續(xù)能源燃料 2025，doi：10.1039/d4se01321b